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雷火电竞体彩app下载平台:如何避免小功率通用开关电源设计中产生的EMI

发布时间: 2022-04-28 07:59:22 来源:雷火电竞体彩app下载平台 作者:雷火电竞竞猜

  开关直流稳压电源是基于方波电压的平均值与其占空比成正比以及电感、电容电路的积分特性而形成的。其基本工作原理是,先对输入交流电压整流,从而形成脉动直流电压,经过DC-DC 变换电路变压,再通过斩波电路形成了不同脉冲宽度的高频交流电,然后对其整流滤波输出需要电压电流波形。如果输出电压波形偏离所需值,便有电流或电压采样电路进行取样反馈,经过与比较电路的电压值进行参数比较,把差值信号放大,从而控制开关电路的脉冲频率f 和占空比D,以此来控制输出端的导通状态。因此,输出端便可以得到所需的电压电流值。

  根据电力系统的实际需要,通过对各个部分进行分析,便可以设计出相应的开关电源产品。

  TOPSwitch ??是POWER 公司生产的高集成的用于开关电源的专用芯片。它将功率开关管与其控制电路集成于一个芯片内,并具有自动复位,过热保护与过流保护等功能,其功能原理图如图2 所示。当系统上电时,D 引脚变为高电位,内部电流源开始工作且片内开关在0 位,TOPSwitch 给并接在C 引脚的电容C5(见图2) 充电。当C5 端电压达到5.7 V 后,自动重起电路关闭,片内开关跳到1 位。C5 一方面提供TOPSwitch 内部控制电路的电源,使误差放大器开始工作,另一方面提供一反馈电流以控制开关管的占空比。MOSFET 开关管的驱动信号由内部振荡电路、保护电路和误差放大电路共同产生。C5 两端的电压愈高,MOSFET 开关管驱动脉冲的占空比愈小。

  在设计开关电源时,首先就要面临如何选择合适的开关电源控制芯片。在选择芯片的时候,要既能满足要求,又不因为选型造成资源的浪费。下面就介绍利用TopswitchⅡ系列开关电源的功率损耗( PD ) 与电源效率(η),输出功率( Po ) 关系曲线,快速选择芯片的型号,从而完成宽范围输入的通用开关电源的设计。

  宽范围输入的交流电压为85~ 265 V, 在这种条件下,TOP221~ TOP227 系列单片开关电源的P D,η,Po 关系曲线 V 时PD ,η, Po 关系曲线 V 时PD,η, Po 关系曲线。

  注意,这里假定交流输入电压最小值umin= 85 V,最高输入电压umax = 265 V.途中的横坐标代表输出功率,而15 条虚线均为芯片功耗的等值线。

  首先确定适用的曲线; 当u= 220 V( 即230 V-230 V× 4.3% ),Uo= + 12 V 时,就应该选择图4; 然后在横坐标上找出欲设计的功率输出点P o ; 从输出功率点垂直向上移动,知道选中合适芯片所指的那条曲线。如果不适用,可以继续向上查找另一条实线; 然后从等值线( 虚线) 上读出芯片的功耗PD,进而还可以求出芯片的结温( Tj ) 以确定散热片的大小。

  例如,设计输出5 V, 30 W 的通用开关电源时,就要选择图3.因为通用开关电源输入交流电压范围85~ 265 V.首先从横坐标上找到Po = 30 W 的输出功率点,然后垂直上移,与T OP224 的实线相交于一点,由纵坐标上查出该点的η= 71.2%,最后从经过这点的那条等值线 W.这表明,选择TOP224 就能输出30 W 功率,并且预期的电源效率为71.2%,芯片功耗为2.5 W.如果觉得指标效率偏低,还可以继续往上查TOP225 的实线 W 的功率,而预期的电源效率可以提高到75%,芯片功耗可以降低1.7 W.然后根据所得到的PD 值,还可以进而完成散热片设计。

  PD ,η, Po 关系曲线均对交流输入电压的最小值进行了限制,umin = 85 V.如果交流输入电压最小值不符合上述的要求,就会直接影响芯片的正确选择。此时必须从实际的交流输入电压u? min最小值对应的功率P‘o 折算成umin为规定值时的等效功率Po,才能使用上面的图。功率修正的方法如下: 选择使用的特性曲线,然后根据已知的u’min值查出折算系数K;将P ‘o折算成umin为规定值时的等效功率Po,表达公式P o=P’o / K;然后从图3、图4 中选用适当的关系曲线 宽范围输入时K 与u‘min 的关系。

  开关变压器的变比与开关变换电路的具体形式有关,正激、半桥变换电路中开关变压器的变比公式为:

  式中,Uin,Uout分别为开关变压器的输入和输出电压;Nin,Nout 分别为开关变压器初级和次级线圈的匝数。

  输入滤波电容器C 的容量与电源效率,输出功率密切相关,对于宽范围输入的开关电源,C 的容量取μF 为单位时,可按比例系数3μF/ W 来选取。例如当Po= 30 W 时,C= ( 3μF/W)×30 W= 90μF, 以此类推。在固定输入时,比例系数变成1μF/W, 上例中的C 就变成30μF.在设计开关电源时还要注意C 的容量误差要尽量小,以免影响开关电源的性能。当C 的容量过小时,会降低TopswitchⅡ的可用功率。如果把30μF 改成20μF, 则输出功率会降低15 %; 当C《 20μF 时,会造成可用功率的明显下降。

  在开关芯片的漏极D 侧可以利用VDZ 和VD 两个二极管对高频变压器的漏感产生的尖峰电压进行箝位,可保护μ的D-S 极间不被击穿。例如VDZ 可以选用瞬态电压抑制器P6K200, 其反向击穿电压为200 V.VD 采用反向耐压为600 V 的UF4005 型超快恢复二极管,亦称阻塞二极管。

  5 应用电路及其仿线给出了由TOPSwitch 构成的反激式电源的原理图。其工作过程如下: 输入交流电经整流桥BR1 整流后再经电容C1 滤波,变为脉动的直流电。

  反激式变压器与TOPSwitch 将存储于电容C1 的能量传递给负载。当TOPswitch 开关管导通时,电容C1两端的电压加到反激变压器的原边,流过原边绕组的电流线性增加( 如若在MOSFET 开关管导通的瞬间变压器副边电流不为零,则由于副边感应电势反向,二极管D2 截止,副边电流变为零,然而磁芯内的能量不能突变,故原边电流跃变为副边电流的1/ K,K 为变压器变比),变压器储存能量; 当MOSFET 开关

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